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大功率IGBT产业化基地建设项目由中国南车株洲所具体实施

时间:2013-03-25 09:13来源:洛阳科诺 作者:admin 点击:

      IGBT是一种新型功率半导体器件,中文全名“绝缘栅双极型晶体管”,是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品。作为电力电子技术的核心技术,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域,是节能技术和低碳经济的主要支撑,被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。

      中国南车大功率IGBT产业化基地建设项目由中国南车株洲所具体实施,占地160亩,预计2013年正式投产。建成后,该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力,年产值超过20亿元,其产业规模和技术实力均超过国内已有水平,达到国际领先水平(目前世界主流IGBT芯片生产线为6英寸)。届时,中国南车将完全自主实现电力电子器件技术及产业跨越式发展,跻身世界大功率IGBT器件技术及产业化一流梯队。